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2N6766
- Artikelnummer:
- 2N6766
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 12514 Pieces
- Datenblatt:
- 2N6766.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 2N6766, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 2N6766 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-204AE |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | 2N6766 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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