2N7000-G
Artikelnummer:
2N7000-G
Hersteller:
Micrel / Microchip Technology
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14102 Pieces
Datenblatt:
2N7000-G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-92-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max):1W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:19 Weeks
Hersteller-Teilenummer:2N7000-G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:60pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:200mA (Tj)
Email:[email protected]

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