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ALD1110EPAL
- Artikelnummer:
- ALD1110EPAL
- Hersteller:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12119 Pieces
- Datenblatt:
- ALD1110EPAL.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für ALD1110EPAL, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für ALD1110EPAL per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.01V @ 1µA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-PDIP |
| Serie: | EPAD® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 500 Ohm @ 5V |
| Leistung - max: | 600mW |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | ALD1110EPAL |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 10V |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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