ALD212900APAL
Artikelnummer:
ALD212900APAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices, Inc.
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17657 Pieces
Datenblatt:
ALD212900APAL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:10mV @ 20µA
Supplier Device-Gehäuse:8-PDIP
Serie:EPAD®, Zero Threshold™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14 Ohm
Leistung - max:500mW
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:8-DIP (0.300", 7.62mm)
Andere Namen:1014-1215
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:ALD212900APAL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Drain-Source-Spannung (Vdss):10.6V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80mA
Email:[email protected]

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