Kaufen AOB29S50L mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-263 (D²Pak) |
Serie: | aMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 14.5A, 10V |
Verlustleistung (max): | 357W (Tc) |
Verpackung: | Original-Reel® |
Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen: | 785-1473-6 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | AOB29S50L |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1312pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26.6nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 29A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 29A TO263 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 29A (Tc) |
Email: | [email protected] |