AON6532P
Artikelnummer:
AON6532P
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH DFN
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19970 Pieces
Datenblatt:
AON6532P.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:710mV @ 1A
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):35.7W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:AON6532P
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1080pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17.2nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 68A 35.7W (Tc) Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH DFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:68A
Email:[email protected]

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