AOT7S65L
Artikelnummer:
AOT7S65L
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16186 Pieces
Datenblatt:
1.AOT7S65L.pdf2.AOT7S65L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max):104W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:AOT7S65L-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOT7S65L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:434pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 7A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:MOSFET N-CH 650V 7A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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