AOT8N60
Artikelnummer:
AOT8N60
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14833 Pieces
Datenblatt:
1.AOT8N60.pdf2.AOT8N60.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max):208W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:785-1190-5
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:AOT8N60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 8A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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