AOTF262L
AOTF262L
Artikelnummer:
AOTF262L
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13348 Pieces
Datenblatt:
1.AOTF262L.pdf2.AOTF262L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3F
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max):2.1W (Ta), 50W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3 Full Pack
Andere Namen:785-1714-5
AOTF262L-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:AOTF262L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:8140pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 17.5A (Ta), 85A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:17.5A (Ta), 85A (Tc)
Email:[email protected]

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