AOU3N60
AOU3N60
Artikelnummer:
AOU3N60
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17814 Pieces
Datenblatt:
1.AOU3N60.pdf2.AOU3N60.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-251-3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Verlustleistung (max):56.8W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen:785-1182-5
Betriebstemperatur:-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOU3N60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 2.5A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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