AOV11S60
AOV11S60
Artikelnummer:
AOV11S60
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14583 Pieces
Datenblatt:
1.AOV11S60.pdf2.AOV11S60.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.1V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:4-DFN-EP (8x8)
Serie:aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 3.8A, 10V
Verlustleistung (max):8.3W (Ta), 156W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:4-VSFN Exposed Pad
Andere Namen:785-1683-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOV11S60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:545pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:650mA (Ta), 8A (Tc)
Email:[email protected]

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