Kaufen AOW20S60 mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.1V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-262 |
| Serie: | aMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 199 mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 266W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | AOW20S60 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1038pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 19.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 20A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 20A TO262 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |