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AOW25S65
- Artikelnummer:
- AOW25S65
- Hersteller:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 25A TO262
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14347 Pieces
- Datenblatt:
- 1.AOW25S65.pdf2.AOW25S65.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für AOW25S65, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für AOW25S65 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-262 |
| Serie: | aMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 357W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | AOW25S65-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | AOW25S65 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1278pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 25A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 25A TO262 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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