AOW4S60
AOW4S60
Artikelnummer:
AOW4S60
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A TO262
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14460 Pieces
Datenblatt:
1.AOW4S60.pdf2.AOW4S60.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.1V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-262
Serie:aMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max):83W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Hersteller-Teilenummer:AOW4S60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:263pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 4A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-262
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 4A TO262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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