AOWF11C60
AOWF11C60
Artikelnummer:
AOWF11C60
Hersteller:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16997 Pieces
Datenblatt:
1.AOWF11C60.pdf2.AOWF11C60.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-262F
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max):28W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Andere Namen:785-1656-5
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:AOWF11C60
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 11A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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