APT10M07JVR
Artikelnummer:
APT10M07JVR
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19884 Pieces
Datenblatt:
APT10M07JVR.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:ISOTOP®
Serie:POWER MOS V®
Verlustleistung (max):700W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:APT10M07JVR
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:21600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1050nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:225A (Tc)
Email:[email protected]

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