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APT10M09B2VFRG
- Artikelnummer:
- APT10M09B2VFRG
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12709 Pieces
- Datenblatt:
- APT10M09B2VFRG.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT10M09B2VFRG, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT10M09B2VFRG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 625W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 Variant |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | APT10M09B2VFRG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9875pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 350nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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