APT14M100B
APT14M100B
Artikelnummer:
APT14M100B
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17018 Pieces
Datenblatt:
1.APT14M100B.pdf2.APT14M100B.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247 [B]
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max):500W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:APT14M100BMP
APT14M100BMP-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APT14M100B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3965pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1000V (1kV) 14A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

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