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APT200GN60B2G
- Artikelnummer:
- APT200GN60B2G
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- IGBT 600V 283A 682W TO247
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19433 Pieces
- Datenblatt:
- 1.APT200GN60B2G.pdf2.APT200GN60B2G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT200GN60B2G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT200GN60B2G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 600V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 1.85V @ 15V, 200A |
| Testbedingung: | 400V, 200A, 1 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 50ns/560ns |
| Schaltenergie: | 13mJ (on), 11mJ (off) |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 682W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Andere Namen: | APT200GN60B2GMI APT200GN60B2GMI-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APT200GN60B2G |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung: | 1180nC |
| Expanded Beschreibung: | IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole |
| Beschreibung: | IGBT 600V 283A 682W TO247 |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 600A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 283A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für APT200GN60B2G
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APT20M22JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227 | Anfrage |
|
APT20M11JVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 | Anfrage |
 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Anfrage |
|
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Anfrage |
 |
APT20M38BVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 | Anfrage |
 |
APT20M38SVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Anfrage |
|
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Anfrage |
|
APT20M38SVFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK | Anfrage |
|
APT20F50B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | Anfrage |
 |
APT20M22B2VFRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX | Anfrage |
|
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Anfrage |
|
APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | Anfrage |
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