Kaufen APT20M22LVRG mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-264 [L] |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 520W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-264-3, TO-264AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APT20M22LVRG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 10200pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 435nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 200V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 200V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 100A TO-264 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |