APT29F100L
APT29F100L
Artikelnummer:
APT29F100L
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19516 Pieces
Datenblatt:
APT29F100L.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-264
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:460 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max):1040W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen:APT29F100LMI
APT29F100LMI-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APT29F100L
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:8500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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