APT40GP60B2DQ2G
APT40GP60B2DQ2G
Artikelnummer:
APT40GP60B2DQ2G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 600V 100A 543W TMAX
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15548 Pieces
Datenblatt:
APT40GP60B2DQ2G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 40A
Testbedingung:400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:20ns/64ns
Schaltenergie:385µJ (on), 350µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Leistung - max:543W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3 Variant
Andere Namen:APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:APT40GP60B2DQ2G
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:PT
Gate-Ladung:135nC
Expanded Beschreibung:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
Beschreibung:IGBT 600V 100A 543W TMAX
Strom - Collector Pulsed (Icm):160A
Strom - Kollektor (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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