Kaufen APT45GP120B2DQ2G mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
APT45GP120B2DQ2G
- Artikelnummer:
- APT45GP120B2DQ2G
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- IGBT 1200V 113A 625W TMAX
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13290 Pieces
- Datenblatt:
- APT45GP120B2DQ2G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT45GP120B2DQ2G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT45GP120B2DQ2G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200V |
|---|---|
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.9V @ 15V, 45A |
| Testbedingung: | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 18ns/100ns |
| Schaltenergie: | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| Leistung - max: | 625W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 Variant |
| Andere Namen: | APT45GP120B2DQ2GMI APT45GP120B2DQ2GMI-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APT45GP120B2DQ2G |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | PT |
| Gate-Ladung: | 185nC |
| Expanded Beschreibung: | IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 113A 625W TMAX |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 170A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 113A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für APT45GP120B2DQ2G
| Image | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Anfrage |
 |
APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Anfrage |
|
APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Anfrage |
 |
APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Anfrage |
 |
RJP6085DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P | Anfrage |
 |
IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 1200V 50A 190W TO247-3 | Anfrage |
 |
APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | Anfrage |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Anfrage |
 |
IXGK50N60B2D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 400W TO264 | Anfrage |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Anfrage |
|
APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Anfrage |
läst Nachrichten
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog