APT5010B2FLLG
APT5010B2FLLG
Artikelnummer:
APT5010B2FLLG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15182 Pieces
Datenblatt:
1.APT5010B2FLLG.pdf2.APT5010B2FLLG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 23A, 10V
Verlustleistung (max):520W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3 Variant
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APT5010B2FLLG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4360pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 500V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
Beschreibung:MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:46A (Tc)
Email:[email protected]

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