Kaufen APT5010B2FLLG mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | T-MAX™ [B2] |
Serie: | POWER MOS 7® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 23A, 10V |
Verlustleistung (max): | 520W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 Variant |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | APT5010B2FLLG |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4360pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 500V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 500V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 46A (Tc) |
Email: | [email protected] |