APT50GN120L2DQ2G
APT50GN120L2DQ2G
Artikelnummer:
APT50GN120L2DQ2G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
IGBT 1200V 134A 543W TO264
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13618 Pieces
Datenblatt:
1.APT50GN120L2DQ2G.pdf2.APT50GN120L2DQ2G.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1200V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Testbedingung:800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:28ns/320ns
Schaltenergie:4495µJ (off)
Serie:-
Leistung - max:543W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen:APT50GN120L2DQ2GMI
APT50GN120L2DQ2GMI-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APT50GN120L2DQ2G
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:NPT, Trench Field Stop
Gate-Ladung:315nC
Expanded Beschreibung:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
Beschreibung:IGBT 1200V 134A 543W TO264
Strom - Collector Pulsed (Icm):150A
Strom - Kollektor (Ic) (max):134A
Email:[email protected]

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