APT6017LLLG
APT6017LLLG
Artikelnummer:
APT6017LLLG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14294 Pieces
Datenblatt:
APT6017LLLG.pdf

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-264 [L]
Serie:POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (max):500W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:APT6017LLLG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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