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APT60M80L2VRG
- Artikelnummer:
- APT60M80L2VRG
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18388 Pieces
- Datenblatt:
- APT60M80L2VRG.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT60M80L2VRG, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT60M80L2VRG per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 264 MAX™ [L2] |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 80 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 833W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-264-3, TO-264AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | APT60M80L2VRG |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 13300pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 590nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 65A (Tc) 833W (Tc) Through Hole 264 MAX™ [L2] |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 65A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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