Kaufen APT70GR65B2SCD30 mit BYCHPS
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 650V |
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VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 70A |
Testbedingung: | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 19ns/170ns |
Supplier Device-Gehäuse: | T-MAX™ [B2] |
Serie: | * |
Leistung - max: | 595W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | APT70GR65B2SCD30 |
IGBT-Typ: | NPT |
Gate-Ladung: | 305nC |
Expanded Beschreibung: | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
Beschreibung: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
Strom - Collector Pulsed (Icm): | 260A |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 134A |
Email: | [email protected] |