APT7F100B
APT7F100B
Artikelnummer:
APT7F100B
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14205 Pieces
Datenblatt:
1.APT7F100B.pdf2.APT7F100B.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 500µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247 [B]
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max):290W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APT7F100B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1000V (1kV) 7A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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