APT80F60J
APT80F60J
Artikelnummer:
APT80F60J
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17799 Pieces
Datenblatt:
APT80F60J.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:55 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max):961W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APT80F60J
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:23994pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:598nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 84A 961W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:84A
Email:[email protected]

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