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APT80SM120J
- Artikelnummer:
- APT80SM120J
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- POWER MOSFET - SIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15216 Pieces
- Datenblatt:
- APT80SM120J.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APT80SM120J, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APT80SM120J per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Verlustleistung (max): | 273W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APT80SM120J |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 235nC @ 20V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 1200V (1.2kV) 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung: | POWER MOSFET - SIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 51A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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