APTC60HM70RT3G
APTC60HM70RT3G
Artikelnummer:
APTC60HM70RT3G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19895 Pieces
Datenblatt:
APTC60HM70RT3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 2.7mA
Supplier Device-Gehäuse:SP3
Serie:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 39A, 10V
Leistung - max:250W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTC60HM70RT3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:259nC @ 10V
Typ FET:4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier 600V 39A 250W SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:39A
Email:[email protected]

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