APTC80A10SCTG
Artikelnummer:
APTC80A10SCTG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
12972 Pieces
Datenblatt:
1.APTC80A10SCTG.pdf2.APTC80A10SCTG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 3mA
Supplier Device-Gehäuse:SP4
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 21A, 10V
Leistung - max:416W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP4
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTC80A10SCTG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6761pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:273nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:42A
Email:[email protected]

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