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APTC80DA15T1G
- Artikelnummer:
- APTC80DA15T1G
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 28A SP1
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15638 Pieces
- Datenblatt:
- 1.APTC80DA15T1G.pdf2.APTC80DA15T1G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APTC80DA15T1G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APTC80DA15T1G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 2mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SP1 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 14A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 277W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SP1 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | APTC80DA15T1G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4507pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 28A 277W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 800V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 28A SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 28A |
| Email: | [email protected] |
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