APTC80DDA29T3G
Artikelnummer:
APTC80DDA29T3G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16966 Pieces
Datenblatt:
1.APTC80DDA29T3G.pdf2.APTC80DDA29T3G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse:SP3
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:290 mOhm @ 7.5A, 10V
Leistung - max:156W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:APTC80DDA29T3G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2254pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:15A
Email:[email protected]

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