APTM100A18FTG
APTM100A18FTG
Artikelnummer:
APTM100A18FTG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15231 Pieces
Datenblatt:
1.APTM100A18FTG.pdf2.APTM100A18FTG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse:SP4
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:210 mOhm @ 21.5A, 10V
Leistung - max:780W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP4
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTM100A18FTG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:10400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:372nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP4
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:43A
Email:[email protected]

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