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APTM120DA30T1G
- Artikelnummer:
- APTM120DA30T1G
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19062 Pieces
- Datenblatt:
- 1.APTM120DA30T1G.pdf2.APTM120DA30T1G.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für APTM120DA30T1G, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für APTM120DA30T1G per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SP1 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 657W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SP1 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Chassis Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | APTM120DA30T1G |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 14560pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 560nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 1200V (1.2kV) 31A 657W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 31A |
| Email: | [email protected] |
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