APTM20HM20FTG
Artikelnummer:
APTM20HM20FTG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16618 Pieces
Datenblatt:
1.APTM20HM20FTG.pdf2.APTM20HM20FTG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse:SP4
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 44.5A, 10V
Leistung - max:357W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP4
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTM20HM20FTG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:6850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
Typ FET:4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:89A
Email:[email protected]

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