APTSM120TAM33CTPAG
Artikelnummer:
APTSM120TAM33CTPAG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
POWER MODULE - SIC
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13503 Pieces
Datenblatt:
APTSM120TAM33CTPAG.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 3mA
Supplier Device-Gehäuse:SP6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 60A, 20V
Leistung - max:714W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP6
Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:APTSM120TAM33CTPAG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:7680pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:408nC @ 20V
Typ FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal:Silicon Carbide (SiC)
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 112A (Tc) 714W Chassis Mount SP6
Drain-Source-Spannung (Vdss):1200V (1.2kV)
Beschreibung:POWER MODULE - SIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:112A (Tc)
Email:[email protected]

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