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BSB056N10NN3GXUMA1
- Artikelnummer:
- BSB056N10NN3GXUMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13540 Pieces
- Datenblatt:
- BSB056N10NN3GXUMA1.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für BSB056N10NN3GXUMA1, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für BSB056N10NN3GXUMA1 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 3-WDSON |
| Andere Namen: | BSB056N10NN3 G BSB056N10NN3 G-ND BSB056N10NN3 GTR-ND BSB056N10NN3G BSB056N10NN3GXUMA1TR SP000604540 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | BSB056N10NN3GXUMA1 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5500pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 9A (Ta), 83A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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