CSD13306WT
Artikelnummer:
CSD13306WT
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16751 Pieces
Datenblatt:
CSD13306WT.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:6-DSBGA (1x1.5)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max):1.9W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-UFBGA, DSBGA
Andere Namen:296-41134-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD13306WT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1370pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:11.2nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):12V
Beschreibung:MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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