CSD17309Q3
Artikelnummer:
CSD17309Q3
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / Nicht zutreffend
verfügbare Anzahl:
18316 Pieces
Datenblatt:
CSD17309Q3.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.7V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.4 mOhm @ 18A, 8V
Verlustleistung (max):2.8W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:296-27250-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD17309Q3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1440pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 20A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):3V, 8V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 60A 8SON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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