CSD18502Q5B
Artikelnummer:
CSD18502Q5B
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17413 Pieces
Datenblatt:
CSD18502Q5B.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):3.2W (Ta), 156W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:296-35629-2
CSD18502Q5B-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:26 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD18502Q5B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5070pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 40V 26A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
Beschreibung:MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:26A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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