CSD18504Q5AT
Artikelnummer:
CSD18504Q5AT
Hersteller:
Beschreibung:
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17050 Pieces
Datenblatt:
CSD18504Q5AT.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-VSON (5x6)
Serie:NexFET™
Verlustleistung (max):3.1W (Ta), 77W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN
Andere Namen:296-46080-2
CSD18504Q5AT-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD18504Q5AT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1656pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 40V 15A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
Beschreibung:N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:15A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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