Kaufen CSD18536KTT mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 375W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Andere Namen: | 296-44967-6 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 2 (1 Year) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | CSD18536KTT |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 11430pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 140nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 200A (Ta) |
| Email: | [email protected] |