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CSD19501KCS
Artikelnummer:
CSD19501KCS
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19994 Pieces
Datenblatt:
CSD19501KCS.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.6 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max):217W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:296-37286-5
CSD19501KCS-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD19501KCS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
Beschreibung:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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