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CSD19532KTT
Artikelnummer:
CSD19532KTT
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18069 Pieces
Datenblatt:
CSD19532KTT.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:DDPAK/TO-263-3
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.6 mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (max):250W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:296-44970-2
CSD19532KTT-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):2 (1 Year)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:13 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD19532KTT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:5060pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:57nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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