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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > CSD19538Q2T
CSD19538Q2T
Artikelnummer:
CSD19538Q2T
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18283 Pieces
Datenblatt:
CSD19538Q2T.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:6-WSON (2x2)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-WDFN Exposed Pad
Andere Namen:296-44612-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD19538Q2T
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:454pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:13.1A (Tc)
Email:[email protected]

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