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CSD19538Q3AT
Artikelnummer:
CSD19538Q3AT
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16693 Pieces
Datenblatt:
CSD19538Q3AT.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:8-VSONP (3x3.15)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 23W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Andere Namen:296-44473-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:6 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD19538Q3AT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:454pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 15A (Ta) 2.8W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:15A (Ta)
Email:[email protected]

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