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CSD23201W10
- Artikelnummer:
- CSD23201W10
- Hersteller:
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 19783 Pieces
- Datenblatt:
- CSD23201W10.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für CSD23201W10, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für CSD23201W10 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 4-DSBGA (1x1) |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-UFBGA, DSBGA |
| Andere Namen: | 296-24258-2 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | CSD23201W10 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 325pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 12V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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